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蔡恩静; 高金德; 朱巧智; 魏文; 李强;
上海华力微电子有限公司;
低压(Vmin)良率; 器件局域失配; 离子注入随机波动(RDF); 计算机辅助设计技术(TCAD)模拟; 麦克斯韦-玻耳兹曼分布;
机译:用于28nm High-k金属栅极CMOS工艺中的ESD保护的低泄漏,低触发电压SCR器件
机译:对20 nm前栅极和28 nm前栅极批量CMOS技术的比较失配研究
机译:与IBM联合开发的结果,凸版印刷建立了用于32nm和28nm半导体的光掩模制造工艺
机译:特邀演讲:低于28nm硅工艺中的噪声和失配
机译:用于45nm及以后工艺的氧化gate和硅酸ha栅氧化物的工艺开发,表征,瞬态松弛和可靠性研究。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:SET器件在28 nm CMOS技术的后端中进行3D集成,用于开发超低功耗传感器
机译:溶剂精制煤(sRC)工艺:微量元素研究和开发报告第53号,第34号中期报告第III卷。试验工厂开发工作第6部分:1977年8月1日至1979年2月28日sRC过程中微量元素的命运
机译:在28 NM CMOS工艺光刻节点或更小尺寸上制造的结构化ASIC的建筑平面图
机译:在28 NM CMOS工艺光刻节点上制造的结构化ASIC的时钟网络鱼骨架构
机译:在28 NM CMOS工艺光刻节点上制造的温度控制结构化ASIC
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