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王乐; 郭伟玲; 王嘉露; 杨新; 孙捷;
北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室;
北京100124;
福州大学平板显示技术国家地方联合工程实验室;
福州350100;
p型氮化镓(p-GaN); Ni/Au薄膜; 欧姆接触; 比接触电阻率; 环形传输线法; 发光二极管(LED);
机译:ZnO纳米棒/石墨烯/ Ni / Au杂化结构作为GaN LED中的透明导电层,用于低工作电压和高光提取
机译:具有Ni / Au纳米网格作为透明p型电极的GaN基UV-LED
机译:高透明性低电阻氧化Ni / Au-ZnO与p-GaN接触,用于高性能LED应用
机译:高透明度低电阻氧化Ni / Au-ZnO与P-GaN接触高性能LED应用
机译:氧化铟基透明导电氧化物薄膜的金属有机化学气相沉积:前体合成,膜生长和表征及其在聚合物发光二极管器件中的应用。
机译:使用超薄Pt催化剂通过PECVD在GaN LED外延片上生长类似于石墨烯的无转移薄膜用于透明电极应用
机译:使用氧化Ni / au和ITO用于LED应用的低阻光学透明触点与p型GaN
机译:Cd2snO4透明导电氧化物在Cds / CdTe薄膜器件中的应用
机译:使用Ni基固溶体的欧姆接触用于LED中的p型GaN
机译:在基材表面上制造薄膜的方法及其在制造导电和透明可见红外薄膜中的应用
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