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熊丝纬; 孙清清;
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室;
上海200433;
二元过渡金属硫族化合物(TMD); 1T’-碲化钼(1T’-Mo; Te2); 原位生长; 薄膜合成; 再蒸发效应;
机译:原位生长1T'-MOTE_2纳米型碳纳米管作为一种有效的电催化剂和锂稳压剂,用于稳定的锂 - 硫磺全细胞
机译:1T'-RES_2纳米片原位在碳纳米管上生长为高效的多硫化物电池,用于稳定LI-S电池
机译:高含量1T相MOS2的原位生长仅限于CUS纳米群中的高效光催化氢气进化
机译:评估1T'-MOTE_2和2H-MOTE_2的接触特性
机译:通过使用原位TEM的泡沫成核和生长,通过原位TEM:顺序他植入和重离子照射与双光束辐射
机译:监测原位肿瘤异种移植模型的生长:台式MRI(1T)高场MRI(9.4T)超声和生物发光的多模态成像评估
机译:监测原位肿瘤异种移植模型的生长:使用台式mRI(1T),高场mRI(9.4T),超声和生物发光的多模态成像评估。
机译:原位,实时和原位表征技术的研究与应用,以研究高温超导(HTsC)薄膜和界面的生长
机译:非工作安全带预紧器高精度冷锻工艺技术开发及关键零部件
机译:金属1T相过渡金属二卤化物和金属1T相过渡金属二卤化物的制备方法
机译:1T-1T-制备金属1T相过渡金属二甲基化物和金属1T相过渡金属二均致原硅藻的方法
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