首页> 中文期刊> 《半导体技术》 >高效GaAs基系Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池的研究进展

高效GaAs基系Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池的研究进展

             

摘要

GaAs基系Ⅲ-V族化合物太阳电池具有带隙最优、抗辐射能力强、高效率、高温稳定性好和机械强度高等优点,是目前高效太阳电池的研发重点。从异质结设计、多结结构设计、晶格匹配优化、光谱-能带匹配设计、掺N半导体材料及半导体键合工艺等方面,介绍了Ⅲ-V族高效多结太阳电池近年来的研究进展和关键技术,重点讨论了光谱匹配结构设计和半导体键合等新技术方法。采用半导体键合技术的四结聚光太阳电池最高效率已达46%。同时结合目前的技术现状,对其未来发展进行了展望。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号