c-GaN材料摩擦响应与磨损特性的分子动力学模拟研究

摘要

对c面(0001)GaN(即c-Ga N)材料纳米划痕响应开展了分子动力学模拟研究,以考察压入深度(即划痕深度)和划痕加载方向对其力学响应、表面磨损和内部位错形核等行为的影响,并澄清其摩擦性能参数与磨损特性。通过对c-GaN材料进行不同压入深度下连续改变加载方向的划痕模拟,结果发现:c-GaN材料的摩擦系数及磨损率取决于加载方向和加载方式,采用划痕方向连续改变的加载方式难以获得c-GaN材料各个晶向上准确的摩擦系数及磨损率。