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电子束蒸发在Si衬底上制备MgB2超导薄膜

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利用电子束蒸发法在Si(111)衬底上制备了MgB2超导薄膜.首先在衬底上按照1:2的原子比交替蒸发Mg和B,所形成的夹层先驱膜在150Pa 99.99%Ar气氛下进行原位热处理630℃×30min.实验发现超导薄膜在正常态下无半导体电阻特性,超导起始转变温度为24.7K,零电阻温度为16.5K.

著录项

来源
《低温与超导》|2004年第2期|51-52,59|共3页
作者
朱红妹; 熊文杰; 高召顺; 张义邴;
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作者单位

上海大学理学院物理系,200436;

上海大学理学院物理系,200436;

上海大学理学院物理系,200436;

上海大学理学院物理系,200436;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类超导体、超导体材料;
关键词
超导薄膜; 电子束蒸发; 原位热处理;
入库时间 2023-07-25 18:27:42

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