前驱B膜沉积时间对MgB2薄膜超导特性的影响

摘要

利用化学气相沉积法(CVD)在多晶Al2O3衬底上制备出了系列MgB2超导薄膜,研究了前驱硼膜沉积时间对MgB2薄膜超导特性的影响,通过XRD、SEM和R-T曲线对超导MgB2薄膜进行了表征.延长前驱硼膜的沉积时间,得到的硼膜结晶度越高,结构更致密.经退火后制备的MgB2薄膜表面富余的Mg可以改善晶粒间的连接,提升Tc值.该实验沉积l0min前驱硼膜得到的MgB2超导薄膜Tc值为34K,且超导转变宽度比较窄.延长前驱硼膜沉积时间到15min后,薄膜的Tc值降低,这是由于前驱硼膜较多,Mg和硼反应不充分所导致的.