导电银浆添加用纳米晶/非晶复合铜锆银粉的惰性气体冷凝法制备

摘要

导电银浆是一种重要的电子材料,可以提高电子器件的连接和传输效率,广泛应用于太阳能和电子工业领域。目前导电银浆的制作流程繁琐,通常使用纳米银等成本较高的填料以保证良好的导电性。本研究采用惰性气体冷凝(inert gas condensation, IGC)法制备了纳米晶/非晶复合铜锆银(Cu-Zr-Ag)粉,通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)等方式对其微观结构和形貌进行了表征,并将其作为导电填料制备了导电银浆,测量了含有不同复合Cu-Zr-Ag粉添加量的导电银浆高温烧结后样品的导电性。结果表明:通过IGC法制备的纳米晶/非晶复合Cu-Zr-Ag粉尺寸分布均匀,平均尺寸约为35 nm;纳米晶/非晶复合Cu-Zr-Ag粉添加量为0.5%~1.5%的导电银浆导电性得到优化,其中,纳米粉的添加量为1%时,方阻最低,达到5.63 mΩ/□。