集成电路刻蚀过程三维仿真模型优化

摘要

集成电路三维刻蚀仿真模型的原始方案使用的是可变点阵的三维刻蚀仿真模型.但是在这种模型作用下新的刻蚀点空间坐标的误差会随着刻蚀点间距的不断增大而增大,最终的积累误差会导致仿真的效果变差.改进了原有算法,使用了新的固定点阵的离散化数学模型代替原有可变点阵的模型,大幅改善了刻蚀精度和显示效果.并给出了刻蚀仿真的结果并进行了讨论.