CMOS器件单粒子锁定效应及其防护设计

摘要

介绍了体硅CMOS器件单粒子锁定原理,讨论了抗单粒子锁定指标、器件制造工艺和电路防护设计方法。对某工业级DDS器件抗单粒子锁定电路加固设计进行了研究,并开展了单粒子锁定辐射验证试验。试验结果表明,通过实时检测器件供电电流来控制器件断电并重启的保护方法对抗单粒子锁定是有效的。