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刘晗; 孙清清; 陈琳; 徐岩; 丁士进; 张卫; 张世理;
State;
Key;
Laboratory;
of;
ASIC;
and;
System;
Department;
Microelectronics;
Fudan;
University;
Shanghai;
200433;
金属氧化物; 石墨层; 第一性原理; 带结构; 修饰; 密度泛函理论; 第一原理计算; Al2O3;
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