The role of hydrogen in negative bias temperature instability of pMOSFET

著录项

• 来源
  《中国物理：英文版》 |2006年第4期|P.833-838|共6页
• 作者

  李忠贺; 刘红侠; 郝跃;

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• 作者单位

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• 收录信息 中国科学引文数据库(CSCD);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 半导体物理学;
• 关键词

  负偏置温度不稳定性; 器件降格; 氢扩散; 界面阱; pMOSFET; 介质击穿;

  机译：负偏置温度不稳定性;器件降格;氢扩散;界面阱;pMOSFET;介质击穿;