Model and analysis of drain induced barrier lowering effect for 4H-SiC metal semiconductor field effect transistor

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• 来源
  《中国物理：英文版》 |2009年第10期|P.4456-4459|共4页
• 作者

  曹全君; 张义门; 贾立新;

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• 作者单位

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  Technology;

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  Zhejiang;

  University;

  Hangzhou;

  310014;

  China;

  School;

  Microelectronics;

  Xidian;

  Xi＇an;

  710071;

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• 收录信息 中国科学引文数据库(CSCD);中国科技论文与引文数据库(CSTPCD);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 场效应器件;
• 关键词

  金属半导体场效应晶体管; 模型分析; 碳化硅; 小时; 势垒; 感应; MESFET; 二维泊松方程;

  机译：金属半导体场效应晶体管;模型分析;碳化硅;小时;势垒;感应;MESFET;二维泊松方程;