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机译:V / III比对a面GaN薄膜生长的影响
Xie Zi-Li; Li Yi; Liu Bin; Zhang Rong; Xiu Xiang-Qian; Chen Peng; ZhengYou-Liao;
Key;
Laboratory;
of;
Advanced;
Photonic;
and;
Electronic;
Materials;
School;
Electronics;
Science;
Engineering;
Nanjing;
University;
210093;
China;
GaN薄膜; III; 直接生长; 平面; 化学气相沉积; 原子力显微镜; 晶体结构分析; 表面形貌;
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