Electric-stress reliability and current collapse of different  thickness SiNx passivated AlGaN/GaN high electron  mobility transistors

杨凌; 胡贵州; 郝跃; 马晓华; 全思; 杨丽媛; 姜守高

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【24h】

Electric-stress reliability and current collapse of different thickness SiNx passivated AlGaN/GaN high electron mobility transistors

机译：不同厚度SiNx钝化的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的电应力可靠性和电流崩塌

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^10F;中国物理：英文版

机译：^10F;中国物理：英文版

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来源
《中国物理：英文版》 |2010年第4期|P.369-374|共6页
作者
杨凌; 胡贵州; 郝跃; 马晓华; 全思; 杨丽媛; 姜守高;
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作者单位

Key;

Laboratory;

for;

Wide;

Band-Gap;

Semiconductor;

Materials;

and;

Devices,;

School;

of;

Microelectronics,;

Xidian;

University,;

Xi＇an;

710071,;

China;

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收录信息中国科学引文数据库(CSCD);中国科技论文与引文数据库(CSTPCD);
原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
高电子迁移率晶体管; AlGaN; 电流崩塌; 钝化层; 氮化硅; 可靠性; 电应力; 厚度;

机译：高电子迁移率晶体管;AlGaN;电流崩塌;钝化层;氮化硅;可靠性;电应力;厚度;

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