射线探測技术与装置

摘要

O434.1 2003064332浮栅ROM器件X射线剂量增强效应实验研究=Experimentalstudy of X-rays dose enhancement effects for floatinggate ROMs[刊,中]/郭红霞(西安电子科技大学微电子所.陕西,西安(710071)),陈雨生…∥物理学报.-2002,51(10).-2315-2319给出了浮栅ROM器件在钴源和北京同步辐射装置(BSRF)3W1白光束线辐照的实验结果,比较了两种辐照的实验结果及其损伤异同性。通过实验在线测得位错误数随总剂量的变化,给出相同累积剂量时X射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系,获得了浮栅ROM器件X射线剂量增强因子。这些结果对器件抗X射线辐射加固技术研究有重要价值。图6表2参13(杨妹清)