亚低温对脑缺血-再灌注损伤后神经生长因子前体凋亡前信号的影响

摘要

目的探讨脑缺血-再灌注损伤后神经生长因子前体（proNGF）凋亡前信号各因子的表达变化及亚低温对脑损伤的保护作用。方法随机选择体重（220±10）g雌性SD大鼠,分为正常对照组（A组）、脑缺血-再灌注组（B组）、亚低温组（C组）,B、C组又分为3,6,9 h亚组,动物死亡或模型不成功者剔除,每亚组8只。TUNEL法检测脑缺血-再灌注后及亚低温处理后脑皮质中凋亡细胞数的变化情况。RT-PCR检测每组各时相点脑皮质中 proNCF、神经降压素受体3（Sortilin）及P75的表达及变化情况。结果 （1）随时间的延长,B组凋亡细胞数增加（P＜0.05）,C组相同时相点凋亡数均少于B组（P＜0.05）。（2）三组中各时相点均有各因子的表达,目随损伤时间的延长,表达逐渐上调（p＜0.05）;（3）C组各时相点脑皮质中各因子含量均低于B组（p＜0.05）。结论 （1）亚低温可减少脑缺血-再灌注损伤后的细胞凋亡。（2）proNGF所导致的细胞凋亡参与了脑缺血-再灌注损伤的发生、发展过程。（3）亚低温可能通过降低proNGF凋亡前信号的表达来减轻细胞凋亡的发生,从而抑制脑缺血-再灌注损伤后的继发性脑损伤。