4H-SiC材料在紫外波段吸收系数的分析研究

陈厦平; 朱会丽

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4H-SiC材料在紫外波段吸收系数的分析研究

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基于已报道的4H-SiC材料在紫外波段(325-390nm)吸收系数的测定,结合经验公式,采用外推和多项式拟合方法分析4H-SiC材料在200-400nm紫外波段的吸收系数,并得到4H-SiC材料的吸收系数与波长的关系式.对4H-SiC吸收系数的分析研究将作为4H-SiC光电探测器结构设计的一个重要依据.

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来源
《光谱实验室》 |2010年第4期|1597-1600|共4页
作者
陈厦平; 朱会丽;
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作者单位

厦门大学物理系,福建省厦门市思明南路422号,361005;

集美大学理学院,福建省厦门市集美区银江路183号,361021;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类紫外线;磁性半导体、磁阻半导体;
关键词
4H-SiC; 吸收系数; 紫外(UV);

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