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基于Ga:YIG晶体的新型光纤电流传感器

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基于磁致旋光介质的法拉第磁光效应,设计了一种光纤电流传感器.核心部件采用了Ga:YIG磁光晶体.通过实验测试,得到其在室温下的维尔德系数为550 rad·T-1·m-1,是普通YIG晶体的50多倍.预期通过进一步的完善,该装置能够用于电力系统中大电流的实时测量.

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来源
《传感技术学报》 |2006年第4期|1231-1233|共3页
作者
沈剑威; 傅志辉; 王其良;
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作者单位

浙江大学物理系现代光学仪器国家重点实验室,杭州310027;

浙江商业职业技术学院,杭州310053;

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正文语种 chi
中图分类 TP212.14;
关键词
法拉第效应; Ga:YIG晶体; 传感器;

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