少突胶质细胞电离辐射后早期基因表达谱的检测

摘要

目的检测电离辐射后早期少突胶质细胞基因表达的变化特征。方法将离体培养的少突胶质细胞经10Gy照射后在1和4h时间点,采用Affymetrix RAT 2302.0基因表达谱芯片进行检测,并用实时荧光定量RT-PCR验证髓鞘碱性蛋白（MBP）和神经细胞间黏附分子1（NCAM-1）的测量结果。结果少突胶质细胞经辐照后1和4h内,其基因表达谱发生了明显的变化,这些基因有1079个已经命名并可以作功能分类。定量PCR表明MBP mRNA表达明显下调,而NCAM-1则上调,照射后4与1h相比,表达量上调了3倍以上。结论电离辐射后少突胶质细胞在几小时内就会发生一系列基因表达的变化,其中MBP和NCAM-1的改变可能在放射性脱髓鞘病变的发病机制中起重要作用。