铸造SiC_p/Al-Si复合材料中的“界面Si”行为

摘要

采用ＴＥＭ 研究了ＳｉＣ／ＡｌＳｉ 复合材料， 提出了“界面Ｓｉ”的概念。由于与增强体ＳｉＣ 不润湿， 初生α（Ａｌ） 相不在ＳｉＣ 颗粒上形核并对其发生排斥。（Ａｌ＋ Ｓｉ） 共晶体中的共晶领先相Ｓｉ 优先在ＳｉＣ表面上形核、长大， 形成界面Ｓｉ， 并形成大量ＳｉＣ／Ｓｉ 界面。ＳｉＣ／Ｓｉ 界面“干净”、平直， 结合紧密， 其中未发现任何界面相。在个别ＳｉＣ／Ａｌ 界面上析出了二次Ｓｉ。