硫脲在铜阴极电沉积中的作用

摘要

用电位阶跃法，得出产生光滑铜沉积时硫脲（ＴＵ）的最佳浓度范围为１０ｍｇ／Ｌ。由电解制样，并地样品进行Ｘ射线衍射、ＳＥＭ测试，结果表明，太脲的存在使沉积表面颗粒细化，但其浓度大于２０ｍｇ／Ｌ时会造成“突出”生长，从而显著影响沉积织构及沉积生长类型。Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析表明，铜沉积中的“硫”主要来自硫脲。