西门子体系中SiHCl3和SiCl4的热力学行为

摘要

在选取与实际生产相近的温度、氢气配比(H2与SiHC13的初始比例)和压力的基础上,计算西门子体系中硅源气体SiHC13的剩余量与副产物SiC14的生成量,分别绘制二者随所选条件的变化图,并利用这些热力学图,分析温度、氢气配比及压力对西门子法生产多晶硅反应体系中SiHC113和SIC14热力学行为影响的规律.结果表明:当压力、氢气配比一定时,SiHC13的剩余量与温度呈反比,SiCI4的生成量则是先随温度的升高而增加,后又变小;当温度和压力一定时,增大氢气配比SiC14生成量减少,只有在氢气配比大于5以后SiHCI,的剩余量才与它呈反比关系;当温度和氢气配比一定时,随着压力的降低,SiHC13的剩余量减少,SiC14则呈先增加再减少的变化趋势.