OGD后突触后膜GluRs含量变化及神经元延迟性死亡研究

摘要

目的 探时OGD损伤后神经元突触后膜GluR1～3含量变化及其在神经元延迟性细胞死亡中的作用。方法 采用PI染色、细胞比色分析和双重免疫荧光技术定量观察神经元死亡、膜表面及灾触GluR1～3含量变化。结果 OGD后神经元死亡数量明显增加;膜表面GluR2含量、含GluR2的突触数目以及突触部位GluR2含量都明显降低（P＜0.05）,膜表面GluR2含量下降以突触部位为主,而膜表面GluR1和GluR3却明显增加。结论 OGD损伤可致突触后膜表面GluR2含量降低,GluR1和GluR3增加并可形成缺乏GluR2的AMPA受体通道,从而介导了Ca2-的快速内流,引起神经元的延迟性死亡。