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肖德元; 陈瑞璋; 朱黎明; 史智华; 徐少华; 陈启玙; 郭康瑾;
无;
机译:具有单片集成微透镜的1.53μm表面发射InGaAsP / InP分布式反馈激光二极管
机译:集成了InGaAlAs-InP和InGaAsP-InP MQW电吸收调制器且集成了半导体放大器的10 Gb / s激光模块的非制冷性能
机译:GRIN-InGaAsP / InP纳米异质结构的增益特性研究
机译:高p掺杂InGaAsP / InP层的1.55 um InGaAsP / InP MQW-LD的光电流特性研究
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:一个10通道多量子阱阵列,与INP上的选择区域生长的InGaAsp层集成
机译:p + -Inp / n-Inp / n-InGaasp光电二极管的电容 - 电压特性计算
机译:可以以包括不小于3.5微米的InGaAsP有源层以及InGaAsP和InP包层的简单结构获得大功率光输出的半导体发光器件
机译:Alingaas / InGaASP / InP边缘发射半导体激光器,包括多个单片激光二极管
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