倒置异质结有机太阳能电池的电子传输层

摘要

制备了结构为ITO/BCP或Alq3(x=0,2,6,10,20,40nm)/Cw(50 nm)/Rubrene(50 nm)/MoO3(5am)/Al(130 nm)的倒置异质结有机太阳能电池,其中BCP或Alga作电子传输层.实验结果表明:当BCP或Alg3≦6 nm时,器件性能随电子传输层厚度的变化不大;当BCP或Alq3≧10 nm时,随电子传输层厚度的增加,含Alq3器件的性能衰减很快,含BCP器件的性能衰减相对较慢,且其开路电压保持不变.分析表明:当电子传输层较薄时,粗糙的ITO使电子较容易从C60注入到ITO;当电子传输层较厚时,BCP/C60之间的能带弯曲使二者之间几乎不存在势垒,含BCP器件性能较差主要源于BCP较差的电子迁移率,而含AIq3器件性能较差主要源于Alq3/C60之间的势垒.