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p-Si薄膜生长的ECR-CVD等离子体系统的结构设计

     
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摘要

提出了一种生长p-Si薄膜的ECR-PECVD等离子体系统.系统采用永磁铁和线圈相结合,改善反应室磁场的均匀性;微波窗口设计成多层结构,避免窗口污染;衬底托架移动和旋转利于改善生长膜的均匀性.

著录项

  • 来源
    《液晶与显示》|2004年第3期|199-201|共3页
  • 作者

    殷景志; 龙北红; 邵丽梅; 阮圣平; 胡立发; 刘永刚; 宣丽;

  • 作者单位

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;

    吉林大学,电子科学与工程学院,吉林,长春,130023;

    吉林大学,材料科学与工程学院,吉林,长春,130023;

    吉林大学,物理学院,教学中心,吉林,长春,130022;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;

    吉林大学,电子科学与工程学院,吉林,长春,130023;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 半导体器件制造工艺及设备;
  • 关键词

    电子回旋共振; 微波等离子体; p-Si薄膜;

  • 入库时间 2022-08-18 08:58:52

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