基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体材料的薄膜晶体管

姚绮君; 李曙新; 张群

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基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体材料的薄膜晶体管

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在室温下制备了基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体的薄膜晶体管,氧化物沟道层中In、Zn、Ti的摩尔比为49:49:2.所制备的器件场致迁移率达到9.8 cm2/V·s,开关比大于105,亚阈值摆幅0.61 V/dec.和未掺Ti器件的比较表明,掺Ti能使器件阈值正向变化,对场致迁移率也有提高作用.

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来源
《液晶与显示》|2010年第4期|569-571|共3页
作者
姚绮君; 李曙新; 张群;
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作者单位

复旦大学,材料科学系,上海,200433;

天马微电子股份有限公司,深圳,518118;

天马微电子股份有限公司,深圳,518118;

复旦大学,材料科学系,上海,200433;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O753.2;
关键词
薄膜晶体管; 氧化锌; 氧化铟; 氧化钛;
入库时间 2023-07-25 17:33:53

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