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王守坤; 郭总杰; 袁剑峰; 林承武; 邵喜斌;
北京京东方显示技术有限公司,北京100176;
铟锡氧化物; 薄雾不良; 边缘场开关薄膜晶体管; 等离子体化学气相沉积; 氮化硅膜; 透过率;
机译:低分子量聚二甲基硅氧烷,溶液加工的铟锡氧化物透明电极的通用性能增强剂
机译:银纳米线透明电极的柔性无铟锡氧化物聚合物太阳能电池的制备
机译:基于网格图案刚性铟锡氧化物的高度柔性透明电极
机译:使用网状图案化铟锡氧化物的高度可弯曲透明电极,用于柔性电子设备
机译:铟锡氧化物/氢化非晶硅光电二极管和用于光学成像的薄膜晶体管。
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机译:石墨烯替代透明电极中铟锡氧化物的能源和资源使用评估
机译:在烟雾状况下出口标志和低位置照明的可见性
机译:铟锡氧化物靶,其制造方法以及使用该靶制造的透明电极
机译:具有铟锡氧化物透明电极直接接触层的发光二极管及其制造方法
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