高压条件下合成硅纳米线

摘要

随着现代芯片集成度的不断增加。晶体管的特征尺寸持续减小．著名的摩尔定律受到了极大的挑战。按现在材料、工艺技术的发展，体硅技术在今后发展一段时间后将达到其极限．这就要求有新的材料、新的工艺来满足将来IC工业发展要求。硅纳米线由于其本征材料仍然是硅．能与现代微电子技术相兼容．受纳米尺度量子效应、库仑阻塞效应、表面效应等因素的影响．