在ITO导电衬底上室温电沉积高取向的CuBr薄膜

摘要

室温下,通过简单的电沉积过程还原CuBr2水溶液可在ITO导电衬底上生长出高取向的CuBr晶体.用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对样品进行了表征.结果表明:CuBr晶体生长沿着<111>品轴方向具有优先取向.通过烷基咪唑四氟硼酸盐[Bmim][BF4]离子液体来调控电沉积CuBr的晶体形貌,添加[Bmim][BF4]后,CuBr晶体生长(111)面优先取向大大削弱.对离子液体调控CuBr晶体形貌的机理进行了初步探讨.