金属性氧化物LaCuO_3的高氧压合成及Cu^(3+)态的XPS研究

摘要

本文在成功地用超高氧压(～6.5GPa)及高温(～980℃)合成和结构测定的基础上,首次对金属性化合物LaCuO_3中的Cu^(3+)离子给予标定,并研究了它与绝缘体中Cu^(3+)的区别。本论文中合成的LaCuO_3为金属性化合物,电导率测量表明在大于13K无超导电性迹象。XPS测量给出LaCuO_3中Cu2p_(3/2),内层电子结合能相对于La_2CuO_4或CuO中的Cu^(2+)向高结合能方向移动了约2.6eV,这一量值远大于NaCuO_2(绝缘体)中的Cu2p_(3/2)相对于CuO中的Cu^(2+)移动的值,约为1.3eV。Auger谱测量表明,LaCuO_3的修正了的Auger参数与CuO的基本相同,但L_3VV的Auger电子动能相对CuO移动了2.8eV。这些位移说明在金属性化合物LaCuO_3中,Cu^(3+)处在八面体位置上,它与近邻的Cu^(3+)连成单个Cu—O—Cu桥,因此可作为对比p型高T_c含铜氧化物的XPS谱的标准。