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王志娟; 郑玉彤; 闫晓东; 汤建华;
中央民族大学信息工程学院,北京100081;
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130033;
激光调阻; 调阻精度; 横向刻蚀长度; 横向起刻位置; 有限元法;
机译:电感耦合等离子体刻蚀横向光栅的基于InP的量子级联分布反馈激光器的制备与表征
机译:溶液浓度对激光诱导电化学刻蚀硅影响的研究
机译:基于水平有限元法的板坯角部横向裂纹横向裂纹裂纹尖端应力分析
机译:有限元法测定逆型电阻值和测量误差的电极图案依赖性分析
机译:基于ZnO纳米/微线的器件的电驱动紫外激光刻蚀。
机译:刻蚀深度对基于GaSb的中红外光子晶体表面发射激光器阈值特性的影响
机译:基于硅的TM0-TM3模式顺序转换器,使用片上浅刻蚀刻的插槽元表面
机译:低阻激光成形横向连杆
机译:旋转电位计电阻路径均衡器-使用激光束切割路径中的电阻槽,以响应馈入差分放大器的最佳和标称电阻值之间的差异
机译:用于牵引电池模块的高欧姆连接器,例如电动汽车具有两条平行的电流路径,其中一条路径的电阻值非常低,大于零,而另一条电流路径的电阻值在特定范围内
机译:用于将交叉安装电路的各个传输路径的电阻值的范围减小到最小的装置和使各个传输路径的电阻值的范围最小的方法
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