恐惧记忆的形成对大鼠内侧前额叶皮层局部场电位的影响

摘要

根据大鼠恐惧记忆形成前后不同时间段局部场电位的变化特征,研究恐惧记忆的形成对内侧前额叶皮层局部场电位的影响.选取健康成年雄性SD大鼠8只,利用脑立体定位仪将微丝电极植入到大鼠的内侧前额叶皮层;手术恢复后l周,在清醒状态下,通过穿梭恐惧记忆训练诱导出大鼠的恐惧记忆.借助Cerebus神经信号记录系统,记录大鼠在清醒状态下恐惧记忆形成前和恐惧记忆形成后6h及l、2、3、4、5、6d的内侧前额叶皮层的局部场电位信号,并采用Neuroexplorer软件分析局部场电位信号.以功率谱密度和功率百分比参数为指标,对恐惧记忆形成前后的总功率和不同时间状态下的各频段(δ:1～3 Hz,θ:4 ～7 Hz,cα:8 ～ 13 Hz,p:14 ～ 30 Hz,γ:31～100 Hz)功率百分比进行方差分析.实验结果显示,恐惧记忆形成后6h,θ波和p波的功率百分比较恐惧记忆形成前具有显著性差异(P =0.017,P=0.017),θ波较恐惧记忆形成前功率百分比增加,p波较恐惧记忆形成前功率百分比降低;另外,恐惧记忆形成后第1、2d,δ波的功率百分比较恐惧记忆形成前具有显著性差异(P=0.03,P=0.049),γ波的功率百分比较恐惧记忆形成前具有显著性差异(P=0.013,P=0.019).研究表明,恐惧记忆的形成对内侧前额叶皮层神经信息处理的模式产生显著性的影响.