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纳米Al2O3掺杂对Ce0.8Y0.2O2-δ晶界离子电导的影响

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研究了纳米Al2O3第2相掺杂对Ce0.8Y0.2O2-δ固体电解质晶界离子电导率的影响. 结果发现,掺杂少量纳米Al2O3可降低固体电解质的晶界电导活化能,中低温下的晶界离子电导率显著上升. 分析表明,掺杂第2相在晶界处的偏聚改善了晶界的离子导电通道结构,是导致晶界离子电导率上升的主要原因.

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来源
《应用化学》 |2006年第9期|978-981|共4页
作者
刘毅;
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作者单位

贵州大学理学院;

贵阳;

550003;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类第Ⅲ族金属元素及其化合物;陶瓷工业;
关键词
Ce0.8Y0.2O2-δ固体电解质; Al2O3; 晶界离子电导率;

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