铜在金电极表面的选择性化学镀富集的研究

摘要

在具有催化还原活性的金电极表面,以水合肼为还原剂,在pH 10.5 酒石酸钾钠溶液中,通过化学镀方法,选择性地在金电极表面沉积了单层结构的铜膜.用开路电位-时间谱技术(Op～t) ﹑循环伏安法(CV)和微分脉冲伏安法(DPV)表征了该溶液还原法对铜进行选择性富集的机理和效果.证明在多种金属离子共存的复杂溶液体系中,可以避免其它离子的干扰,使铜选择性地富集到金电极表面.化学镀浴中富集到金电极表面的单层铜膜溶出电流与Cu2+的浓度在3×10-6～1×10-4 mol/L范围内呈线性关系.该法已用于矿样中铜的还原富集、分离和测定,分析结果与电感耦合等离子体发射光谱法(ICP/AES)作了比较,结果满意.