An ab initio potential energy surface and vibrational energy levels of HXeBr

摘要

为 HXeBr 分子的电子基态的三维的全球势能表面从超过 4200 个 ab initio 点被构造。这些点与戴维森修正(icMRCI + Q ) 用一个内部收缩的多参考构形相互作用方法被产生，大基础设定。稳定性和分离障碍从势能表面被识别。三身体的分离隧道被发现是为 HXeBr 的 dominate 分离隧道。基于获得的潜力，用 Lanczos 算法计算的 HXeBr 的低振动能层次被发现在对可得到的试验性的谱带原点的好同意。