Ground bounce noise reduction aware combinational multi threshold CMOS circuits for nanoscale CMOS multiplier

著录项

• 来源
  《中国光电子学前沿：英文版 》 |2013年第3期|P.327-337|共11页
• 作者

  Bipin Kumar VERMA; Shyam Babu SINGH; Shyam AKASHE;

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• 作者单位

  Department;

  of;

  Electronics;

  and;

  Communication;

  Engineering,;

  ITM;

  University,;

  Gwalior;

  （M.P.）;

  474001,;

  India;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 CHI
• 中图分类 场效应型 ;
• 关键词

  CMOS电路; 多阈值; 地面; 纳米; 噪声电压; 降噪; 乘数; CMOS技术;

  机译：CMOS电路;多阈值;地面;纳米;噪声电压;降噪;乘数;CMOS技术;