国内申请三维NAND闪存技术专利分析

摘要

3DNAND闪存与2DNAND闪存在存储架构上虽然有比较明显的差异,但是其存储单元的基本物理结构组成是相同的。在3DNAND存储器结构中,采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式,实现堆叠式的3DNAND存储器结构。在3DNANDFlash中,多位存储单元可被编程于多阶编程阈值电压的其中之一阶,以实现一个多位存储单元可以存储多个不同数据的目的。