2型糖尿病患者工作记忆特征的事件相关电位研究

摘要

目的 比较2型糖尿病患者与正常人在三种工作记忆(working memory,WM)负荷水平下所诱发的事件相关电位(event-related potentials,ERPs)成分及其脑区分布差异,分析其事件相关电位的特点,讨论2型糖尿病患者工作记忆损害的神经机制.方法 选取2012年6月～2013年10月期间火箭军总医院神经内科及内分泌科门诊和住院患者,筛选出2型糖尿病患者40例(男19例,女21例,最大年龄75岁,最小年龄55岁,平均67.45±7.82岁).同时筛选出正常对照组40例(男18例,女22例,最大年龄75岁,最小年龄55岁,平均68.85±7.10岁),年龄、性别等相匹配.两组受试者均行n-back试验(n=0,1,2)工作记忆任务的ERPs试验,随着记忆负荷的增加,难度逐渐增大.记录脑电变化,离线分析数据.结果 三种不同的记忆负荷水平均出现了P300成分,其变化在额叶显著.两组比较,0-back时,2型糖尿病组P300潜伏期较对照组延长,1-back时,2型糖尿病组波幅较对照组降低,差异有统计学意义.结论 通过对三种记忆负荷水平下事件相关电位的研究,表明2型糖尿病患者存在工作记忆受损,而这种表现在额叶最为明显,提示额叶在工作记忆的处理过程中起重要作用.