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张红伟; 彭树根;
上海华力微电子有限公司,上海,201203;
原位水气生成; 氮含量; 介电常数; 界面态; 负偏压不稳定性;
机译:具有高介电常数氧化物/聚合物双层介电常数的低压驱动底栅非晶态铟镓锌氧化物薄膜晶体管
机译:Hf基高介电常数栅绝缘膜的Al浓度调制和部分VDD栅电极提高CMOS不对称阈值
机译:介电常数和氧化物厚度对亚阈值区域对称双栅叠层氧化物无结场效应晶体管性能分析的影响
机译:基于高介电常数材料的有机太阳能电池:一种提高效率的方法。
机译:用于高级CMOS器件的铝酸镧高介电常数栅氧化物的综合研究
机译:一种新的氧化物带层机构对双层材料堆栅氧化物TFET的设计和研究方法
机译:一种估算辐射环境中浮栅提示电荷损失概率的方法。
机译:一种具有高介电常数栅氧化膜形成方法,边界层还原法,高介电常数栅绝缘膜,高介电常数栅绝缘膜和高k栅氧化膜的晶体管,
机译:用于金属氧化物半导体场效应晶体管器件的双栅电极的制造涉及在一个区域上沉积具有高介电常数的薄层或纯氧化物层而在另一区域上沉积厚的氧化物层
机译:一种调节晶体管的功函数的方法和结构,该晶体管具有高介电常数的栅电极绝缘体和金属栅电极(HKmg)。
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