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氮化硅陶瓷的残余应力和抗弯强度特性

         

摘要

利用X射线衍射方法测量了经不同磨削的氮化硅陶瓷表面残余应力及其对抗弯强度的影响.结果表明,磨削工艺所引入的残余应力是拉应力,显著降低陶瓷抗弯强度.

著录项

  • 来源
    《硬质合金》 |2003年第3期|161-164|共4页
  • 作者单位

    武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070;

    武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070;

    武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070;

    武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070;

    武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 陶瓷工业;
  • 关键词

    XRD 残余应力 磨削 陶瓷;

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