自截止腐蚀制备Si平面薄膜中的B杂质分析

周斌; 黄耀东; 李忻; 孙骐; 车录锋; 沈军; 吴广明; 唐伟星; 熊斌; 王跃林

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自截止腐蚀制备Si平面薄膜中的B杂质分析

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以重掺杂自截止腐蚀工艺制备的厚度为3～4 μm的自支撑Si平面薄膜已在X光激光和惯性约束聚变分解实验中得到应用.制备过程中,重掺杂B杂质的引入会对获得的Si平面薄膜的应用带来影响.本工作研究采用次级离子质谱(SIMS)测量Si平面薄膜中B杂质的浓度分布,结合在软X光波段下同步辐射直接测得的Si薄膜的透过率结果,分析B等杂质对Si平面薄膜性能的影响.

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来源
《原子能科学技术》 |2002年第4期|364-366|共3页
作者
周斌; 黄耀东; 李忻; 孙骐; 车录锋; 沈军; 吴广明; 唐伟星; 熊斌; 王跃林;
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作者单位

同济大学,波耳固体物理研究所,上海,200092;

同济大学,波耳固体物理研究所,上海,200092;

上海冶金研究所,传感器国家重点联合实验室,上海,200050;

同济大学,波耳固体物理研究所,上海,200092;

上海冶金研究所,传感器国家重点联合实验室,上海,200050;

同济大学,波耳固体物理研究所,上海,200092;

同济大学,波耳固体物理研究所,上海,200092;

同济大学,波耳固体物理研究所,上海,200092;

上海冶金研究所,传感器国家重点联合实验室,上海,200050;

上海冶金研究所,传感器国家重点联合实验室,上海,200050;

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正文语种 chi
中图分类半导体性质;
关键词
Si平面薄膜; 重掺杂; 自截止腐蚀; 杂质分布;

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