钨-铜合金影锥屏蔽体屏蔽性能的MCNP程序计算

摘要

利用MCNP程序对影锥屏蔽体的屏蔽性能进行计算和深入分析.结果表明:影锥屏蔽体对于周围及样品造成的散射中子本底影响低于1.4%.中子穿透影锥屏蔽体而产生的γ射线泄漏率为10-16～10-14数量级,对于中子散射微分截面的实验测量,其影响可以忽略不计.W-Cu合金影锥屏蔽体的设计模型符合设计标准,就飞行距离为4～10 m的范围而言,影锥屏蔽体可使源中子注量衰减10-7,屏蔽效果显著.