IDT6116单粒子敏感性评估试验技术研究

摘要

为评估IDT6116 SRAM单粒子敏感性,采用地面试验方法和地面试验系统,利用脉冲激光、重离子和 252 Cf源 3种不同的地面模拟源,对IDT6116 SRAM器件进行单粒子敏感性试验研究,并对3种不同的模拟源的试验结果进行等效性分析比较,同时进行总剂量效应对单粒子效应影响的试验研究.研究结果表明:IDT6116 SRAM抗单粒子翻转和锁定的能力较强;接受一定辐照剂量后的试验样品对单粒子翻转更加敏感,且翻转阈值略有降低,翻转截面略有增大.