基于表面扫描法的SiP器件近场电磁辐射测试方法

摘要

在近场电磁辐射测试研究中,还没有一套完整的面向单个元器件的测试方法。针对此问题,基于表面扫描法对SiP器件的近场电磁辐射测试方法进行研究。第一,利用X光研究SiP器件内部结构并进行干扰源分析;第二,完成硬件、软件层搭建使器件进入工作状态;第三,搭建近场测试系统,对工作中的器件实施近场测试。在案例研究中,所用SiP器件内部封装外围器件和作为主要干扰源的处理器。近场测试结果显示,PCB上辐射主要集中在SiP器件周围,器件近场辐射集中在处理器芯片处。案例研究的结果说明这种测试方法可以有效测量SiP器件的近场电磁辐射,并对器件内干扰源进行分析。