IBM发表新型绝缘体助力先进制程芯片良率

摘要

IBM在近日于美国硅谷举行的年度IEEE国际可靠度物理研讨会上发表了新型绝缘体，该种材料有2种型态——氮碳化硅硼（SiBCN）以及氮碳氧化硅（SiOCN），号称2者都能让芯片性能与良率有所提升。