Ti/ZrN2/Si薄膜界面扩散反应的研究

王莉; 殷木省; 朱永法

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Ti/ZrN2/Si薄膜界面扩散反应的研究

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利用直流磁控反应溅射法在Si基底上制备了Ti/ZrN2/Si多层薄膜,利用俄歇深度剖析和线形分析研究了真空热处理前后膜层间的界面状态及相互作用.研究结果表明,Ti膜和ZrN2膜均在沉积过程中发生了界面扩散作用,真空热处理可以显著地增强Ti/ZrN2/Si膜层间的界面扩散和化学反应,并分别在界面层生成了TiNx和SiNx等物种.

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来源
《物理化学学报》|2003年第7期|641-646|共6页
作者
王莉; 殷木省; 朱永法;
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作者单位

清华大学化学系,北京,100084;

清华大学化学系,北京,100084;

清华大学化学系,北京,100084;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类表面现象的物理化学;
关键词
界面扩散反应,Ti/ZrN2/Si,俄歇电子能谱;
入库时间 2023-07-25 11:14:03

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