Bi2MoO6纳米薄膜的制备及其光电性能

摘要

采用非晶态配合物法在ITO导电玻璃上制备了Bi2MoO6薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、激光拉曼光谱(LRS)、紫外-可见漫反射谱(DRS)、光电流响应谱、光电转换量子效率(IPCE)等技术研究了Bi2MoO6薄膜的制备工艺、形貌、结构与薄膜光电性能的关系.结果表明,500℃、1h焙烧后的Bi2MoO6薄膜为γ-Bi2MoO6晶相,沿(131)晶面方向生长,薄膜厚度约为69 nm.随着焙烧温度的升高和焙烧时间的延长,Bi2MoO6薄膜的平均颗粒度增大,并且在525℃焙烧出现β-Bi2MoO6和γ'-Bi2MoO6晶相.Bi2MoO6薄膜具有可见光响应活性,在可见光照射下可以产生光电流,优化条件下的Bi2MoO6薄膜在400 nm的光电转换量子效率可以达到2.14%.薄膜的光电响应和光电转换量子效率受薄膜形貌及结晶状态影响,可以通过控制薄膜的制备条件来提高薄膜的光电转换量子效率.