硫氰酸银钾复合薄膜的制备及其电存储特性

摘要

采用真空热蒸镀法在银电极上蒸镀硫氰酸钾薄膜,并通过界面反应在银电极表面上形成AgK_2(SCN)_3复合薄膜.采用可见光谱、X射线光电子能谱(XPS)、激光拉曼光谱和X射线多晶衍射谱(XRD)对薄膜进行表征.研究发现,A1/AgK_2(SCN)_3/Ag器件具有稳定的可逆电舣稳特性,高、低电阻状态的电阻比高达10~6,并能实现连续"写-读-擦-读"操作.器件的可逆擦写特性门因于外电场作用下AgK_2(SCN)_3复合介质层内导电通道的形成-断裂;电流-电压曲线拟合显示,低电阻状态符合欧姆传输,而高电阻状态表现出空间电荷限制电流传输模式.在导电通道断裂的过程中,电离作用和焦耳热效应会共同起作用.